用作大功率半導體器件的絕緣基片、大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的散熱基片、鋰電池內(nèi)部的隔板材料、切削工具、封裝材料、高溫潤滑劑、熱散板及粘結(jié)劑等。
制造集成電路基板、電子器件、光學器件、散熱器、高溫坩鍋；制備金屬基及高分子基復合材料，特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有極好的應用前景...
導熱填料：如金屬、陶瓷及石墨基復合材料，橡膠、塑膠、涂料、膠粘劑及其它高分子基復合材料。
1) 用于導熱膏、導熱硅脂的高導熱填料；
2) 用于導熱膠、導熱硅膠片、環(huán)氧樹脂導熱灌封膠的高導熱填料；
3) 用于導熱工程塑料的高導熱填料；
4) 用于定影膜、聚酰亞胺薄膜高導熱填料；
5) 用于封裝材料、高溫潤滑劑、粘結(jié)劑、散熱油漆，散熱油墨的高導熱填料；
6) 用于制造高導熱的集成電路基板（MCPCB、FCCL）的絕緣及導熱填料；
7) 用于導熱界面材料（TIM）的高導熱填料；
8) 用于坩堝金屬熔煉、蒸發(fā)舟、陶瓷刀具、切削工具、微波介電材料；
9) 用于制造高導熱的氮化鋁陶瓷基板，氮化鋁靶材，以及各種陶瓷制品；
10) 用于導電陶瓷蒸發(fā)舟，可以與二硼化鈦，氮化硼等材料復合；
氮化鋁為灰白色正交晶系或六方晶系結(jié)晶，在濕空氣中有氨味。熔點2200℃(0.45MPa、氮氣流中)，沸點(分解)，莫氏硬度9～10度。室溫下強度高，隨溫度的升高，強度下降，彎曲強度30～40Pa。遇水分解為氫氧化鋁和氨：AIN+3H2O→NH3+AL(OH)3
本品導熱性好，膨脹系數(shù)小，抗熔融金屬的腐蝕能力強，電絕緣性優(yōu)良，介電性好。
制備：
①在氮氣流中加熱鋁土礦和焦炭。
AL2O3+3C+N2→2AIN+3CO
②在150℃將高純鋁脫脂后，放入鎳盤中，置于石英反應管中，在純氮氣流中加熱至820℃ 左右，激烈反應，反應完畢，繼續(xù)在氮氣流中冷卻，由于產(chǎn)品中有未反應的鋁，粉碎后，再次在氮氣流中加熱至1100～1200℃，反應完畢，可制得。
③將三氯化鋁合氨(AlCl3·NH3)在氮氣流中進行熱分解，也可制得。
④純鋁粉和氨氣在800～1000℃下合成。
⑤以碳化鋁為原料，在氮氣流中加熱，可制得。
